（B）用ToF-SIMS获得的LiSEI组分的各种分子片段，押注用电0亿特别是TeS和TeLi的深度剖面图证实了这一点。
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从定性上看，工业两种样品都有Gc和Guc峰，Gc峰强度随电压升高而减小，Guc峰强度随电压升高而增大。同时作者测试了3个阶段的非原位原位XRD，互联对晶体结构进行了再次确认(图2c)。
